共识 突破 成长 |邑文科技销售中心年终述职暨动员大会圆满召开

发布时间：2025-01-23

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回首奋进路，启航新征程。为更好的回顾2024年整体工作完成情况、分析不足、持续改进、扎实推进2025年度销售中心各项经营指标达成，1月19日，邑文科技销售中心举办年终述职暨动员大会。...

邑文快讯 | 邑文科技2025年年度战略会议在锡圆满召开！

发布时间：2025-01-21

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在这辞旧迎新的美好时刻，我们心怀感恩，相聚于此，共同开启本次邑文科技2025年年度战略会议。回首过往，我们携手并肩，历经风雨，创造了一个又一个辉煌的瞬间；展望未来，我们满怀憧憬，斗志昂扬，立志在新的一年里续写更加壮丽的篇章。...

工艺案例 | 邑文科技ALD布拉格原子叠层技术（Bragg Atomic Stack, BAS）

发布时间：2025-05-26

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DBR（分布式布拉格反射器）是一种基于布拉格反射原理的光学元件，通过周期性交替排列的高、低折射率材料层实现对特定波长光的高效反射。 DBR技术的核心难点集中在纳米级制造工艺、热稳定性、材料体系创新以及集成化设计。...

智汇前沿 · 共拓芯程丨邑文科技第四届科技论坛圆满收官

发布时间：2025-05-13

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在半导体产业向高端化、智能化加速迈进的关键时期，5月9日，由邑文研究院主办的第四届科技论坛在邑文南通制造中心隆重举行。作为公司内聚焦技术创新的重要交流平台，本次论坛以“智汇前沿 共拓芯程”为主题，吸引了邑文研发中心全体技术骨干与泓芯半导体有...

工艺案例 | 邑文科技SINO Plasma 6000 ICP SiC沟槽刻蚀底部圆角与侧壁粗糙度优化开发

发布时间：2025-04-17

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碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高击穿场强、高热导率和宽禁带特性，已成为高压功率器件（如新能源汽车、光伏逆变器、高压电网）的核心材料。然而，传统平面型SiC MOSFET受限于沟道迁移率和电场分布均匀性，难以满足更高功率密...