SINO Plasma 2000 CVD
发布时间:2020/09/07 10:44:32
机台介绍 SINO-Plasma 2000是邑文科技自主研发的多腔CVD设备,多可配置3个腔体,采用开放式传送平台以及双晶圆反应腔设计,配置高精度传送手臂,基于Windows平台的人机交换界面操作简单,系统架构合理。设备具有占用空间小,产能效率高,耗材成本(COC)及运营成本(COO)低等优点。可以兼容气体及液态源各种CVD工艺。 应用领域 · 6英寸~8英寸硅基半导体生产线 · 4英寸~6英寸碳化硅、氮化镓、砷化镓等产线的CVD应用 产品优势 · 配置3个双晶圆反应腔体,产能效率高 · 高密度等离子体,各种工艺兼容性高 · 可兼容PETEOS、PESIN、BPSG等工艺 · 反应腔工艺套件消耗及维护成本低 · 可兼容低温工艺能力 主要技术参数 Equipment Availability / Uptime:≥92 Deposition rate:根据不同工艺定制化 Deposition uniformity: Heater Temperature Control:±2°C of setpoint |