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SINO Plasma 2000 CVD

 

机台介绍
SINO-Plasma 2000是邑文科技自主研发的多腔CVD设备,多可配置3个腔体,采用开放式传送平台以及双晶圆反应腔设计,配置高精度传送手臂,基于Windows平台的人机交换界面操作简单,系统架构合理。设备具有占用空间小,产能效率高,耗材成本(COC)及运营成本(COO)低等优点。可以兼容气体及液态源各种CVD工艺。

应用领域
· 6英寸~8英寸硅基半导体生产线
· 4英寸~6英寸碳化硅、氮化镓、砷化镓等产线的CVD应用

产品优势
· 配置3个双晶圆反应腔体,产能效率高
· 高密度等离子体,各种工艺兼容性高
· 可兼容PETEOS、PESIN、BPSG等工艺
· 反应腔工艺套件消耗及维护成本低
· 可兼容低温工艺能力

主要技术参数
Equipment Availability / Uptime:≥92
Deposition rate:根据不同工艺定制化
Deposition uniformity:<1. 5% (1 sigma )
Heater Temperature Control:±2°C of setpoint 



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