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SINO Plasma6000CCP 介质刻蚀机

工艺应用
Contact/Via、Spacer、Passivation、Hardmask、SAB、Etch Back 



晶圆尺寸
8寸及以下



适用衬底材料
硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、石英玻璃



应用领域
科研、Si基工艺、化合物(包含GaN&GaAs&SiC等)、MEMS领域、滤波器、光通信、微显示等领域



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